2025年05月04日 星期日
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  • MOCVD系统

    技术指标 温度控制精度±1℃,生长GaN材料浓度在1×1017cm-2时迁移率达到500cm2/v*s以上;P型参杂浓度达到LED生长技术要求的1×1012cm2以上。 仪器用途 宽禁带半...

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