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硅片局部升温,根据拉曼光谱平移变化确定其局部温度的变化。
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硅片局部升温,根据拉曼光谱平移变化确定其局部温度的变化。
浏览:400 解答:1发布人:程康
- 咨询方式:文本
- 问题类别:询盘
- 发布时间:2020-08-24 15:35:51
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问题描述:
硅片局部升温,根据拉曼光谱平移变化确定其局部温度的变化。
已解答: (1)
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预约须知
1,粉末量要求50mg左右;
2,固体/块状样品尺寸要求最小2*2mm,最大不超出5*5cm;
3,液体无法直接测试;
4,每样品测2个点左右;
5,其他特殊要求请先联系当地经理或拨打客服热线。
拉曼光谱(Raman)
型号:
法国HORIBA Jobin Yvon S.A.S公司 LabRAM HR Evolution;
thermo dionex aquion;
显微共聚焦拉曼光谱仪 雷尼绍 inVia Qontor;
Renishaw invia reflex共聚焦激光拉曼光谱仪,冷热台(-196°C~ 600°C)
测试项目:
325,514,532,633,785(325从200开始测,其余激光器波长都从50开始测)
更多测试要求请咨询客户经理;
样品要求:
1. 样品状态:可为粉末、溶液、块状、薄膜样品
2. 粉末样品:粉末要求至少50mg
3. 溶液样品:无法直接测试,需滴在硅片上烘干;
4. 块状、薄膜样品:固体样品尺寸要求最小2*2 mm,最大不超出5*5cm;一定要标明测试面!
5. 每样品测2个点左右
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