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深圳市华科智源科技有限公司

检测通 >> 深圳市华科智源科技有限公司

大功率IGBT测试仪

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品　　牌：
华科智源

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出厂价：
60000

主要规格：
HUSTEC-5000

用　　途：
，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修

HUSTEC-5000

功率器件参数及图示测试系统

1． 系统配置简介

1.1 系统概述

HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款多功能的半导体测试设备。

本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。

1.2 HUSTEC-5000测试仪指标

技术指标
主极参数			控制极参数
指标	标配		指标	标配
②主极电压:	1mV-2000V		①控制极电压：	100mV-20V
②电压分辨率：	1mV		②电压分辨率：	1mV
③主极电流：	0.1nA-100A	可扩展1250A	③控制极电流：	100nA-10A
④电流分辨率：	0.1nA
⑤测试精度：	0.2%+2LSB
⑥测试速度：	0.5mS/参数

1.3 HUSTEC-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统，它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。

测试范围 / 测试参数
序号	测试器件	测试参数
01	绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT	ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS
02	MOS场效应管 MOS-FET	IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
03	J型场效应管 J-FET	IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF
04	二极管 DIODE	IR；BVR ；VF
05	晶体管（NPN型/PNP型）	ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF
06	双向可控硅 TRIAC	VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
07	可控硅 SCR	IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH
08	硅触发可控硅 STS	IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-
09	达林顿阵列 DARLINTON	ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON
10	光电耦合 OPTO-COUPLER	ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)
11	继电器 RELAY	RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME
12	稳压、齐纳二极管 ZENER	IR；BVZ；VF；ZZ
13	三端稳压器 REGULATOR	Vout；Iin；
14	光电开关 OPTO-SWITCH	ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF
15	光电逻辑 OPTO-LOGIC	IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF
16	金属氧化物压变电阻 MOV	ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；
17	固态过压保护器 SSOVP	ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-
18	压变电阻 VARISTOR	ID+； ID-；VC+ ；VC-
19	双向触发二极管 DIAC	VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS
HFE vs. IC

BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC

VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF

1.5系统软件支持

器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。

一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。

2．系统内部简介

2.1 概述

HUSTEC-5000测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。

2.2大功率半导体测试系统特点：
1.图形显示功能

2.局部放大功能
3.程序保护最大电流/电压,以防损坏

4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应

6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热

保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象

10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL

12.程序保护最大电流/电压,以防损坏

3．系统规格及技术指标

工作温度：25℃--40℃

贮存温度: -15℃-50℃

工作湿度：45%--80%

贮存湿度：10%--90%

工作电压：200v--240v

电源频率：47HZ--63HZ

接地要求：供电电源应良好接地。

通信接口：RS232 USB

系统功耗：<150w

设备尺寸：450mm×570mm×280mm

4、测试夹具、适配器

使用该系统测试二极管、齐纳二极管、三极管、场效应管、固定三端稳压器、可控硅等半导体分立器件，不需要适配器盒，只需把测试夹具插到系统前面板，把待测试的器件直接插到测试夹具上即可进行测试。

1）二极管夹具

细引线同轴二极管测试夹具

粗引线同轴二极管测试夹具

这两种夹具采用测试同轴引线（两端器件）二极管的插座。

DO4/5A 用于测试DO-4、DO-5封装的管子，螺栓头接阳极A

DO4/5K 用于测试DO-4、DO-5封装的管子，螺栓头接阴极K （极性与D4/5A不同）。

2）三极管夹具

TO220 用于测试TO-220封装的三极管

TO3/66 用于测试TO-3、TO-66的三极管（即F1、F2封装）。

TO72 用于测试TO- 72封装的三极管，四脚插座。

TO5/18 用于测试TO-5、TO-8封装的三极管，金属壳封装。

TO92 用于测试TO-92封装、基极在中央的小功率塑封三极管。

3）可以提供各种表面贴封形式的分立器件的测试夹具。

4）测试下列器件，除需要与封装对应的测试夹具外，还需选用以下测试适配器：

HUSTEC-2000：用于测试DIP4---DIP16多光耦。
HUSTEC-300：用于测试达林顿阵列（如ULN2003等）。
HUSTEC-320：用于测试三端稳压器。
HUSTEC-6010：用于多器件扫描测试。
HUSTEC-390：用于测试继电器。

5）IGBT测试夹具

5、系统主机产品详细测试参数

器件参数/技术指标

5.1 晶体管 TRANSISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V to 999V(2kV)^（1）

0.10V to 20V( 80V)^（3）

1nA(10pA)^（2）

to 50mA 1nA(10pA)^（2）to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+1nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)^（2）

BVCEO

(电流大于10mA，

脉冲宽度300us)

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V)^（1）

to 700V(1.4kV)^（1）

to 1kV(2kV)^（1）

0.10V to 999V(2kV)^（1）

0.10V to 20V(80V)^（3）

1nA to 200mA

to 100mA

to 50mA

1nA(10pA)^（2）to 3A

1mV

1%+10mV

hFE

(1 to 99,999)

VCE: 0.10V to 5.00V^（5）

to 9.99V

to 49.9V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A

IB: 1nA to 10A

0.01hFE

VCE: 1%+10mV

IC: 1%+1nA

IB: 1%+5nA

VCESAT

VBESAT

VBE(VBEON)

RE(间接参数)

VCE：

0.10V to 5.00V

to 9.99V

VBE：.10V to 9.99V

IE： to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IB：1nA to 10A

1mV

V：1%＋10mV

IE：1%＋1nA

IB：1%＋5nA

5.2二极管DIODE

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
IR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA(10pA)^（2） to 50mA	1nA(1pA)^（2）	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)^（2）
BVR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA to 3A	1mV	1%+10mV
VF	0.10V to 5.00V to 9.99V	IF: 10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾	1mV	VF: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA

5.3 稳压二极管、齐纳二极管ZENER

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
IR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA(10pA)^（2）to 50mA	1nA(1pA)^（2）	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)^（2）
BVZ VzMIN IR	0.1V to 5.000V to 9.999V to 50.00V to 700V(1.4kV)⁽¹⁾ to 999V(2kV)⁽¹⁾ BVZ Soak- 50V(100V)⁽¹⁾ 0 to 50ms to 99sec	10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A to 100mA to 50mA to 400mA to 80mA	1mV	1%+10mV
VF	0.10V to 5.00V to 9.99V	IF:10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾	1mV	V: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA
ZZ(1kHz) 0.1Ω to 20kΩ	0.1V to 200VDC 50μV to 300mV RMS	100μA to 500mA DC	0.001Ω 1μV	1%+1%量程

5.4 三端电源稳压器件REGULATOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

Input / Output

Regulation

(混合参数)

VO：0.10V to 20V(50V)⁽³⁾

VIN：0.10V to 49.9V

负载：电阻或电流型

IO： 1mA to 5A

1mV

1%+10 mV

IIN

VIN：0.10V to 20V(50V)⁽³⁾

负载：RGK 1kΩ、10kΩ

外接，开路，短路

IIN：1mA to 3A

10nA

1%+5nA

5.5 J型场效应管J-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IGSS

IDOFF、IDGO

VGS:0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

VDS:0.10V to 999V(5kV)⁽¹⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾

to 3A 1nA(10pA) ⁽²⁾

to 50mA

1nA(1pA)⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

BVDGO

BVGSS

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

1nA to 50 mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSON，VGSON

IDSS，IDSON

RDSON (混合参数)

gFS (混合参数)

0.10V to 5.00V

to 9.99V

ID: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IG：1nA to 10A

1mV

V：1%+ 10mV

ID：1%+1nA

IG：1%+5nA

VGSOFF

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

ID：1nA（10pA）^（2）to 3A

VD：0.10V to 50V

1mV

1%＋10mV

5.6 MOS场效应管 MOS-FET

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
IDSS/V IGSSF IGSSR VGSF VGSR	0.10V to 999V(2kV⁽¹⁾ 0.10V to 20V(80V)⁽³⁾	1nA(10pA)⁽²⁾ to 50mA 1nA(10pA)⁽²⁾ to 3A	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
BVDSS	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA to 50mA	1mV	1%+100mV
VGSTH	0.10V to 49.9V	ID: 100uA to 3A	1mV	1%+ 10mV
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON( 混合参数 ) gFS (混合参数 )	VD、VF： 0.10V to 5.00V to 9.99V VGS：0.10V to 9.99V	IF、ID：10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ IG：1nA to 10A	1mV	V： 1%+10mV IF、ID：1%+1nA IG： 1%+5nA

5.7双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRM IRRM

IGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾to 50mA

1nA(10pA) ⁽²⁾to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾

VD+、VD-

BVGKO

0.01V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+10 mV

VT+ VT-

0.10V to 5.00V

to 9.99V

10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IGT：1nA to 10A

1mV

V：1%+10mV

IT：1%+1nA

IGT：1%+5nA

I GT 1/2/3/4

VGT 1/2/3/4

VGT:0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

VT: 100mV to 49.9V

IGT： 1nA to 3A

RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT

1mV

1nA

1%＋10mV

1%＋5nA

IL+、IL-

( 间接参数 )

VD:5V to 49.9V

IL: 100μA to 3A

IGT: 1nA to 3A

RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

IH+、IH-

VD:5V to 49.9V

IH: 10uA to 1.5A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL设置 )

1uA

1%+2uA

5.8 单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRM、IRRM、

IGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V( 80V)⁽³⁾

1nA(10pA)^（2）to 50mA 1nA(10pA)^（2）

to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)^（2）

VDRM、VRRM

BVGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V( 80V) ⁽³⁾

1nA to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+ 10mV

VTM

0.10V to 5.00V

to 9.99V

10μA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

1 mV

VT：1%+10mV

IT： 1%+1nA

I GT

VGT

VD: 5V to 49.9V

VGT:0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

VT:100mV to 49.9V

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω、30Ω、100Ω、

EXT

1 mV

1nA

1%+10mV

1%+ 5nA

( 间接参数 )

VD：5V to 49.9V

IL: 100μA to 3A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

VD：5V to 49.9V

IH: 10uA to 1.5A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL设置 )

1uA

1%+2uA

5.9 光电耦合器件OPTO-COUPLER

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICOFF、ICBO

0.10V to 999V(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA 1nA(10pA) ⁽²⁾ to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾

BVCEO BVECO

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V) ⁽¹⁾

to 700V(1.4kV) ⁽¹⁾to 1kV(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 999V(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

100μA to 200mA

to 100mA to 50mA

1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100 mV

1%+10mV

CTR(0.01 to 99.999)

hFE (1 to 99.999)

VCESAT VSAT

VF(Opto-Diode)

VCE: 0.10V to 5.00V⁽⁵⁾

to 9.99V

to 49.9V

VF: 0.10V to 9.99V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A

IF, IB: 1nA to 10A

0.0001CTR

0.01hFE

VCE: 1%+10mV

IC: 1%+1nA

IF, IB: 1%+5nA

6.10光电开关管OPTO-SWITCH

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
ICOFF	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA(10pA) ⁽²⁾to 50mA	1nA(1pA)⁽²)	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
VD	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA to 50mA	1mV	1%+100mV
Notch= IGT1、IGT4 VON=VSAT (Coupled)	VD: 0.10V to 5.00V to 9.99V to 49.9V	IGT：1nA to 3A	1mV	IGT: 1%+5nA 1%+10mV
ION = IGT1、IGT4 IOFF = IGT1、IGT4		IGT：1nA to 3A	1mV	IGT: 1%+5nA

6.11光电逻辑器件OPTO-LOGIC

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
IR	0.10V to 20V(80V)⁽³⁾	1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
VF	0.10V to 20V	IF: 1nA to 10A	1mV	1%+10mV
VOH VOL	0.10V to 9.99V	1nA to 49.9A	1mV	1%+10mV
IFON IFOFF ITH+B ITH-B ITH+I ITH-I	0.10V to 9.90V	1nA to 10A	1mV	1%+10mV

6.12 金属氧化物压变电阻MOV

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ID+ ID-

2.50mV

to 49.9V(100V) ⁽¹⁾

1nA(10pA)⁽²⁾to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

VN+ VN-

VC+ VC-

0.10V to 450V( 900V)⁽¹⁾

to 700V(1.4kV) ⁽¹⁾to 999V(2kV)⁽¹⁾

1nA(10pA)⁽²⁾ to 200mA

to 100mA to 50mA

1mV

1%+1%量程

6.13 固态过压保护器SSOVP

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
ID+ ID-	2.50mV to 1kV(2kV)^（1）	1nA(10pA)⁽²⁾to 3A	1nA(1pA)⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾
VCLAMP+, VCLAMP-	2.50mV to 1kV(2kV)^（1）	10mA to 900mA	1mV	1%+1%量程
VT+、VT-	5mV to 20V	IT：1nA to 49.9A IB：10mA to 900mA	1mV	V: 1%+10Mv IT: 1%+1nA IB：1%+5nA
IH+、IH-	VHVGS: 100mV to 20V	IH: 10mA to 1A	1uA	1%+2uA
IBO+ IBO-	VT: 2.50mV to 400V⁽¹⁾	IB: 10mA to 900mA	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+1nA
VBO+ VBO-	2.50mV to 400V	10mA to 900mA	1mV	1%+10mV
VZ+ VZ- VT+ VT-	2.50mV to 1kV 5.00mV to 20V	1nA to 3A IT: 1nA to 49.9A IB: 10mA to 900mA	1mV	V: 1%+10mV

6.14 继电器RELAY

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
RCOIL 1Ω to 10kΩ	2.50V to 999V	10mA to 3A	0.001Ω	1%+1%量程
VOPER	100mV to 49.9V		0.1V	1% + 0.1V
VREL	100mV to 49.9V		0.1V	1% + 0.1V
RCONT (10mΩ to 10kΩ)	2.5mV to 49.9V	10mA to 9.90A	0.001Ω	1%+1%量程
OPTIME / RELTIME ( 100us to 65ms)	2.5mV to 49.9V		1us	1%+1%量程

6.15 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICES IGESF

IGESR

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA(10pA)⁽²⁾to 50mA

1nA(10pA)⁽²⁾ to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

BVCES

0.1V to 450V( 900V)⁽¹⁾

to 700V(1.4V)⁽¹⁾ to 1kV(2kV)⁽¹⁾

100μA to 200mA

To 100mA to 50mA

1mV

1%+

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