深圳京都玉崎株式会社

LASERTEC 透明wen缺陷检查/评论装置 TROIS33

主要规格：
透明ウェハの検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能微分干渉光学系により、シャロースクラッチや様々な結晶欠陥を高い感度で検出可能ブロードバンド光源と光学フィルタによる波長選択機能により、膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能独自のアルゴリズムにより、欠陥以外の表面モフォロジの影響を受けない検査が可能欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート

用　　途：
ワイドバンドギャップ半導体、サファイア、石英など、透明ウェハの欠陥検査ワイドバンドギャップ半導体のエピタキシャル層（ホモエピ/ヘテロエピ）の欠陥検査エピタキシャル成長プロセス、装置の管理研磨剤等の材料開発、研磨プロセスの管理透明ウェハ上パターンの欠陥検査仕様

特長透明ウェハの検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能微分干渉光学系により、シャロースクラッチや様々な結晶欠陥を高い感度で検出可能ブロードバンド光源と光学フィルタによる波長選択機能により、膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能独自のアルゴリズムにより、欠陥以外の表面モフォロジの影響を受けない検査が可能欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート用途ワイドバンドギャップ半導体、サファイア、石英など、透明ウェハの欠陥検査ワイドバンドギャップ半導体のエピタキシャル層（ホモエピ/ヘテロエピ）の欠陥検査エピタキシャル成長プロセス、装置の管理研磨剤等の材料開発、研磨プロセスの管理透明ウェハ上パターンの欠陥検査仕様装置サイズ 2,200mm（W）× 1,850mm（D） × 2,000mm（H）（6インチ仕様） ※装置本体、ラック、オペレーションデスクを含む対応ウェハサイズ最大φ8インチ対応可検査対象ウェハ GaNほか各種透明ウェハ検査時間 10分/枚（φ6インチ,10×レンズ使用）

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