检测认证人脉交流通讯录
- 材质硅基镀金
本类可选规格:直径,25mm其它规格无货
特性:耐高温,反射率高
硅材料及硅金镜片技术简介:
硅，通常应用于中红外（MIR）波段—3-5um。但事实上，这种材料可用于更加广泛的工作波长范围， 从1.2um到1000um 甚至更高。
为了提高在工作波长范围内的透过率，我们生产出了三个等级的光学材料：光学卓克拉尔斯基硅（OCz-Si），浮区硅（FZ-Si），高电阻率浮区硅（HRFZ-Si）。对于硅种类的选择，取决于波长范围、元件厚度和具体应用。我们应用适当结构的晶体（生产技术，导体类型，电阻），以保证得到最佳的透过率。正确选择材料的主要原则如下。还须注意，透过率不依赖于晶体轴向而改变。
在图1中，透射光谱在近红外和中红外范围内，你可以看到，在3-5um范围，所有规格的硅和电阻之间，透过率没有什么区别。同时，所有规格的硅的晶体吸收峰值在6.5-25um范围内被所规定的晶格吸收。OCz-Si具有5.8-9.1um的额外高峰，在19.4um处被氧气诱导并震动吸收。由于氧浓度稀薄（OCz-Si, 10E16 cm-3---10E18 cm -3），FZ-Si在氧气峰值处可以避免被吸收，可以应用于更多关键应用领域。
物理特性
密度, g/cm3 2.329
熔点, °C 1412
分子重量 28.09
表面张力, liquid at mp, mN/m 736
25 C热线性膨胀 2.55 x 10-6
27 C导热率, W/(m x °C) 159
特殊热容量 (固体), J/(kg x °C) 712
25°C导热系数折射率 1.50 x 10-4
内在电阻率, kOhm x cm 240
1 Ohm x cm (n-type) = 1015/cm3 2.93
1 Ohm x cm (p-type) ?= 1015/cm3 7.33
内在电子漂移移动性, cm2/(V x s) 1500
内在电子数目/ cm-3 1.22 x 1010
内在孔漂移的流动性 / cm2/(V x s) 600
最小带隙， eV 300 K 1.14
0 K 1.17
断裂模数, MPa 125
莫氏硬度 7
杨氏模量 (E), Pa 1.89 x 1010
剪切模量 (G), Pa 7.99 x 1010
泊松比 0.266
水溶性 不可溶
硅在各种波长下的折射率
l, mm n l, mm n l, mm n
1.40 3.4900 4.50 3.4270 7.00 3.4227
1.50 3.4841 5.00 3.4256 7.14 3.4226
1.66 3.4700 5.28 3.4250 7.30 3.4225
1.82 3.4600 5.50 3.4246 7.50 3.4224
2.00 3.4561 5.70 3.4243 7.72 3.4222
2.50 3.4431 5.83 3.4241 8.00 3.4220
3.00 3.4360 5.92 3.4239 8.16 3.4220
3.30 3.4326 6.00 3.4238 8.50 3.4218
3.50 3.4317 6.50 3.4232 9.00 3.4216
4.00 3.4289 6.92 3.4228 9.09 3.4215
参考公式 ，ε0 = 11.67，静态介电常数，波长无限远处，硅折射率参数接近3.416（在我们的示例中1000um或更远） 。
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