检测认证人脉交流通讯录
- PHIGENESIS Model 900 for HAXPES
硬X射线光电子能谱（HAXPES）是一种先进的表面分析技术，主要用于研 究固体样品的表面电子结构和化学态。 HAXPES利用高能X射线（例如Cr Ｋα射线 ，能量为5414．7 eV）激发样品表面的电子。通过测量这些电子的能量分布，能 够获得关于样品表面的化学成分和电子结构的详细信息。与传统的XPS（软X射线 光电子能谱）相比，HAXPES具有更深的探测深度，通常可达约30 nm，适用于 多层薄膜、半导体光电器件等样品的无损深度分析。
无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。
XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。
深层界面的分析
在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。
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