CMP（化学机械抛光）在线检测是半导体制造中的一个关键步骤，它对于确保芯片的性能和产量具有重要意义。
CMP工艺最重要的要求之一是确定何时停止抛光工艺，即终点检测（EPD）。过度抛光晶片将导致偏离目标膜厚度，从而降低器件性能或产量；而抛光不足的晶圆会导致返工并增加IC制造成本。因此，EPD对CMP工艺起着至关重要的作用。
CMP在线检测通常依赖于多种测量技术，包括但不限于以下几种：
光学测量技术：
反射光强度监测：该技术基于不同材料反射光的强度不同。当硅片表面的材料在CMP过程中发生改变时，反射光的强度也会发生变化。检测这种强度变化可以确定CMP的终点。
干涉法：利用光的干涉原理来工作。当光照射到硅片上时，部分光会从表面反射回来，部分光则会穿过薄膜并从底部反射回来。这两束光会产生干涉，形成明暗交替的干涉条纹。通过分析这些干涉条纹，可以计算出薄膜的厚度和表面的平坦度。
电学测量技术：
电容检测：通过监测硅片的电容变化来确定CMP的终点。硅片的电容会随着研磨过程中材料的改变而改变。例如，当硅片上的介电层被完q研磨掉时，硅片的电容值会突然增大，通过监测这种电容变化，就可以确定CMP的终点。
声学测量技术：
声学终点检测技术主要利用声音传感器（通常是高灵敏度的麦克风）捕捉CMP过程中产生的声音。通过信号处理算法进行分析，以识别出特定的声音特征，这些特征与硅片表面的特定材料层相关。CMP过程中产生的声音包含多种频率成分，不同材料和研磨条件产生的声音频率特征是不同的。当研磨进程从一种材料切换到另一种材料时，声音的频率特征会发生明显的变化。监测这种声音频率或强度的变化可以用来确定CMP的终点。
更多访问：
http://www.china-pss.com/sjxd-Products-17459875/
https://www.chem17.com/st277818/product_17459875.html