检测认证人脉交流通讯录
IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
测试对象：IGBT、Mosfet、Diode
测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据
IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
IGBT测试
IGBT测试项目
测试条件
测试结果
栅极-发射极栅
极绝缘
Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA
精度:±3% ±0.1µA
截止电流
Vces: 100-2000V,分辨力,1 V
精度:±3% ±10V
Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA
1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA
精度:±3% ±10µA
阈值电压
Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA
（可根据客户需求扩展）
Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
饱和压降
Ice: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A
Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管压降
If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流
Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V
Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10µA
IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
MOSFET测试
MOSFET测试项目
测试条件
测试结果
栅极-源极绝缘
Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA
精度:±3% ±0.1µA
漏极-源极截止电流
Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V
Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10µA
栅极-源极阈值电压
Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA
Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
漏极-源极导通电阻
Ids:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A
Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二极管压降
If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流
Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V
Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10µA
IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
DIODE测试
DIODE测试项目
测试条件
测试结果
二极管压降
If:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流
Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V
Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10µA
IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
