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陕西天士立科技有限公司

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Mosfet检测试分析

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  • 天士立
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    • Mosfet检测试分析 ** 华则检测第三方实验室CNAS/CMA “华则检测”专业的第三方检测机构 Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA:“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质,拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”,对外提供检测测试和验证等服务。 Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA:“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域, Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMAMosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA 服务目录 Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA 一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1) 检测项目:开短路检测 4 (2) 检测项目:漏电检测 4 (3) 检测项目:产品外观或形貌确认 4 (4) 检测项目:尺寸测量 4 (5) 检测项目:超声波检测(SAT) 4 (6) 检测项目:X-ray检测 5 (7) 检测项目:推拉力检测 5 (8) 检测项目:有害物质检测 5 (9) 检测项目:剖面分析 5 (10) 检测项目:样品开封 5 二、电学检测 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1) 检测项目:直流参数 6 (2) 检测项目:雪崩能量 6 (3) 检测项目∶栅极电阻 6 (4) 检测项目:开关时间(器件级) 6 (5) 检测项目:开关时间(模块级) 6 (6) 检测项目:反向恢复(模块级) 6 (7) 检测项目:反向恢复(器件级) 6 (8) 检测项目:栅极电荷(模块级) 7 (9) 检测项目:栅极电荷(器件级) 7 (10) 检测项目:短路耐量能力(模块级) 7 (11) 检测项目:短路耐量能力(器件级) 7 (12) 检测项目:结电容 7 (13) 检测项目:热阻性能(器件级) 7 (14) 检测项目:热阻性能(模块级) 7 (15) 检测项目:参数曲线扫描 8 (16) 检测项目:ESD能力 8 (17) 检测项目:正向浪涌能力 8 三、应用系统检测 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1) 检测项目:电气参数 9 (2) 检测项目:保护功能测试 9 (3) 检测项目:元器件应力测试 9 (4) 检测项目:电气/抗电强度测试 9 (5) 检测项目:绝缘电阻测试 10 (6) 检测项目:接地电阻测试 10 (7) 检测项目:低温测试 10 (8) 检测项目:高温测试 10 (9) 检测项目:高加速寿命/应力测试 10 (10) 检测项目:静电放电抗扰度测试 10 (11) 检测项目:雷击浪涌抗扰度测试 10 (12) 检测项目:电源端子骚扰电压/传导测试 11 四、可靠性测试 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1) 检测项目:功率循环龌 (PC) 12 (2) 检测项目:高温门极试验(HTGB) 12 (3) 检测项目:低温工作寿命试验(LTOL) 12 (4) 检测项目:低温储存试验(LTSL) 12 (5) 检测项目:高低温循环试验(TC) 12 (6) 检测项目:稳态功率试验(SSOL) 12 (7) 检测项目:无偏压的高加速应力试验(UHAST) 13 (8) 检测项目:预处理试验(Pre-con) 13 (9) 检测项目:高温反偏试验(HTRB) 13 (10) 检测项目:高温工作寿命试验(HTOL) 13 (11) 检测项目:高温储存试验(HTSL) 13 (12) 检测项目:高温高湿试验(THB) 13 (13) 检测项目:间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 13 (14) 检测项目:高加速应力试验(HAST) 14 (15) 检测项目:高温蒸煮试验(PCT) 14 (16) 检测项目:潮气敏感度等级试验(MSL) 14 (17) 检测项目:可焊性试验(Solderability) 14 一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1)检测项目:开短路检测 覆盖产品:IC 检测能力:满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试;Max电压7V,电压精度1mV,Max电流 500mA,电礪度 10nA; 执行标准:客户要求 (2)检测项目:漏电检测 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:具有EMMI (微光)和TIVA (激光诱导)两种侦测方 式;加电方式A:电压20mV-200V,电流10nA-1A,电流精度 10fA;加电方式B:Max电压3000V,Max电流5A。 执行标准:客户要求 (3)检测项目:产品外观或形貌确认 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:立体成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;数码成像/Max6000倍; 执行标准:客户要求 (4)检测项目:尺寸测量 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:立体成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;数码成像/Max6000倍; 执行标准:客户要求 (5)检测项目:超声波检测(SAT) 覆盖产品∶ IC,分立器件,模块等产品 检测能力∶具有分层面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行A-scan(点扫描)、B-scan(纵向扫描)、 C-scan(横向扫描)、Through-scan(透射扫描)。 执行标准∶GuoJun标 (6)检测项目:X-ray检测 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:High分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。 执行标准:GuoJun标 (7)检测项目:推拉力检测 覆盖产品∶ IC,分立器件,模块等产品 检测能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头,测试范围0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头,测试范围0-100Kg,推刀接受面宽0-8891um。 执行标准∶ GuoJun标 (8)检测项目:有害物质检测 覆盖产品∶IC,分立器件,模块等产品 检测能力∶ 支持铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、六价铬(Cr6+)、多溴联苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini检测限可达2ppm。 执行标准∶ IEC (9)检测项目:剖面分析 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:金相样品制备、样品观察、样品染色。 执行标准:客户要求 (10)检测项目:样品开封 覆盖产品:IC,分立器件,模块等产品 检测能力:激光开封、化学开封、样品剥层。 执行标准:客户要求 二、电学检测·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1)检测项目:直流参数 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品; 检测能力:检测Max电压7500V检测Max电流6000A 执行标准:国标,IEC (2)检测项目:雪崩能量 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件 检测能力:检测Max电压2500V检测Max电流200A 执行标准:美军标 (3)检测项目∶栅极电阻 覆盖产品∶MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测能力∶检测阻抗∶0.1Ω~50Ω 执行标准∶JEDEC (4)检测项目:开关时间(器件级) 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件; 检测能力:Max电压1200V Max电流200A 执行标准:美军标,国标,IEC等 (5)检测项目:开关时间(模块级) 覆盖产品:IGBT等模块产品 检测能力:检测Max电压2700V检测Max电流4000A 执行标准:国标,IEC (6)检测项目:反向恢复(模块级) 覆盖产品:IGBT等模块产品 检测能力:检测Max电压2700V检测Max电流4000A 执行标准:国标,IEC (7)检测项目:反向恢复(器件级) 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测能力:Max电压1200V Max电流200A 执行标准:美军标,国标,IEC等 (8)检测项目:栅极电荷(模块级) 覆盖产品:IGBT等模块产品 检测能力:检测Max电压2700V检测Max电流4000A 执行标准:国标,IEC (9)检测项目:栅极电荷(器件级) 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测能力:Max电压1200V Max电流200A 执行标准:美军标,国标,IEC等 (10)检测项目:短路耐量能力(模块级) 覆盖产品:IGBT等模块产品 检测能力:检测Max电压2700V,检测Max电流10000A 执行标准:国标,IEC (11)检测项目:短路耐量能力(器件级) 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测能力:检测Max电压1200V,检测Max电流1000A; 执行标准:美军标,国标,IEC等 (12)检测项目:结电容 覆盖产品:MOSFET、IGBT及第三代半导体单管器件 检测能力:检测Max电压3000V 执行标准:IEC (13)检测项目:热阻性能(器件级) 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体单管器件 检测能力:功率250W 执行标准:美军标,JEDEC (14)检测项目:热阻性能(模块级) 覆盖产品:IGBT等模块产品 检测能力:Max功率4000W 执行标准:美军标,JEDEC (15)检测项目:参数曲线扫描 覆盖产品:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的l-V、C-V曲线 检测能力:检测Max电压3000V检测Max电流1500A温度-70°C~180°C 执行标准:美军标,IEC等 (16)检测项目:ESD能力 覆盖产品:MOSFET、IGBT、IC等产品 检测能力:HBMMax电压8000V;MMMax电压800V 执行标准:美军标,ANSI,JEDEC等 (17)检测项目:正向浪涌能力 覆盖产品:DIODE (Si/SiC)、整流桥; 检测能力:Max电流800A 执行标准:美军标,国标 三、应用系统检测·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1)检测项目:电气参数 覆盖产品:开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 检测能力:低压AC/DC电源:单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA;Max输出电压/功率:80V/1000W;低压DC/DC电 源:Max输入电压/功率为80V/1.2KW;Max输出电压/功率: 80V/1000W;直流充电桩电源模块:三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA;Max输出电压/功率:700V/30KW;电机控制板: 直流输入电压/功率100V/5KW 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (2)检测项目:保护功能测试 覆盖产品:开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 检测能力:低压AC/DC电源:单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA;Max输出电压/功率:80V/1000W;低压DC/DC电 源:Max输入电压/功率为80V/1.2KW;Max输出电压/功率: 80V/1000W;直流充电桩电源模块:三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA;Max输出电压/功率:700V/30KW;电机控制板: 直流输入电压/功率100V/5KW 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (3)检测项目:元器件应力测试 覆盖产品:开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。 检测能力:Max峰值电压:1.5KV;Max有效值/峰值电流:30A/50A;High温度:260°C 执行标准:元器件规格,客户要求等 (4)检测项目:电气/抗电强度测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:交流耐压范围:(0~5)KV/40mA;直流耐压范围:(0~6)KV/9999uA 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (5)检测项目:绝缘电阻测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:(100~1K)Vdc/9999mΩ 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (6)检测项目:接地电阻测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:30A/600mΩ 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (7)检测项目:低温测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:Mini温度:-70℃ 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (8)检测项目:高温测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:High温度:~180℃ 执行标准:国标,IEC,客户要求等 (9)检测项目:高加速寿命/应力测试 覆盖产品∶电子电气产品 检测能力∶温度范围∶(-100~+200)℃℃;温度上升速率∶平均(70°~100°)C/m; 加速∶(5-60)gRMS (空台) 执行标准∶国标,IEC,客户要求等 (10)检测项目:静电放电抗扰度测试 覆盖产品∶电子电气产品 检测能力∶接触静电放电电压范围∶(±2~±8)KV空气静电放电电压范围∶(±2~±25)KV 执行标准∶国标,IEC,客户要求等 (11)检测项目:雷击浪涌抗扰度测试 覆盖产品∶电子电气产品 检测能力∶1.2/50us综合波的开路电压范围∶(0.25~10)KV; 10/700us通讯波的开路电压范围∶(0~6)KV;输出阻抗∶ 1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω 执行标准∶国标,IEC,客户要求等; (12)检测项目:电源端子骚扰电压/传导测试 覆盖产品:电子电气产品 检测能力:9KHz~ 30MHz 执行标准:国标,IEC,客户要求等 四、可靠性测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA (1)检测项目:功率循环龌 (PC) 覆盖产品∶IGBT模块 检测能力∶△Tj=100℃电压电流Max1800A,12V 执行标准∶ IEC 客户自定义 (2)检测项目:高温门极试验(HTGB) 覆盖产品∶MOSFET、SiC MOS等单管器件 检测能力∶温度High150℃;电压High2000V 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (3)检测项目:低温工作寿命试验(LTOL) 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶温度Mini-80℃ 电压High2000V 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (4)检测项目:低温储存试验(LTSL) 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度Mini-80℃ 执行标准∶ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (5)检测项目:高低温循环试验(TC) 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度范围∶-80℃~220℃ 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (6)检测项目:稳态功率试验(SSOL) 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶△Tj≥100℃,电压电流Max48V,10A 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (7)检测项目:无偏压的高加速应力试验(UHAST) 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度130℃ 湿度85% 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (8)检测项目:预处理试验(Pre-con) 覆盖产品∶所有SMD类型器件 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (9)检测项目:高温反偏试验(HTRB) 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶温度High150℃; 电压High2000V 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (10)检测项目:高温工作寿命试验(HTOL) 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶温度High150℃,电压High2000V 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (11)检测项目:高温储存试验(HTSL) 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度High150℃; 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (12)检测项目:高温高湿试验(THB) 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度High180℃ 湿度范围∶10%~98% 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (13)检测项目:间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶△Tj≥100℃ 电压电流Max48V,10A 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (14)检测项目:高加速应力试验(HAST) 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶ 温度130℃/110℃ 湿度85% 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (15)检测项目:高温蒸煮试验(PCT) 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 检测能力∶温度121℃ 湿度1 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (16)检测项目:潮气敏感度等级试验(MSL) 覆盖产品∶所有SMD类型器件 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 (17)检测项目:可焊性试验(Solderability) 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 检测能力∶有铅、无铅均可进行 执行标准∶美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 五、其它测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA:“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质,拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”,对外提供检测测试和验证等服务。 Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA:“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域,

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