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雪崩能量测试仪厂家华科智源

雪崩能量测试仪厂家ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。雪崩能量测试仪厂家HUSTEC2020 雪崩耐量测试系统功能指标：配置测试范围测试参数条件范围电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器）感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、重复间隙时间 1~60s可调（步进1s）重复次数：1~50次测试模式单脉冲松开电感的开关（UIS）单脉冲雪崩应力（EAS）重复性雪崩能量（EAR）重复脉冲故障（RPF）执行的测试连续性测试装置的插座和/或接触 DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试 - 前，后的雪崩功能设备测试雪崩测试

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