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IGBT功率器件动态参数测试仪华科智源

IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。 IGBT功率器件动态参数测试仪概述测试电压：zui大1200 VDC 200（短路电流可达1000A）定时测量：zui低为1 ns 漏电流限制监视器 - MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps - Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us - MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH - IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A 测试标准： - MIL-STD-750 Series ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项额外的电源供应器额外的测试头大包装适配器 ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头 ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间 ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473 ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471 ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477 ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479

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