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MOSFET场效应管 上海优质MOSFET场效应管批发供应 雷卯供
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MOSFET场效应管 上海优质MOSFET场效应管批发供应 雷卯供
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称 MOSFET。是一种可以使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET 用于电路电子开关。
MOSFET的选用技巧：
1.选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑；
2.额定电压越大，器件的成本就越高，VDS必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线；
3.确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的相当大电流；
4.选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而变化。器件功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升；
5.决定开关性能，是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
上海雷卯电子科技有限公司，品牌LEIDITECH，过压过流保护元件专业供应商，MOSTET封装有DFN5X6-8L， SOP-8， SOT-23， SOT-223-3L，SOT-323，SOT-363，TO-220-3L，TO-220F，TO-252-2L，TO-263-2L，TSSOP-8，
DFN2X2-6L，DFN3.3X3.3，DFN3X3。
MOSFET可供应型号（请登录雷卯官网具体查询）
LCE4090G
LCE6045G
LCE9926
SE4946
LCE3010S
LCE6005AS
LM3404
LCE3420
SE2306
2N7002
2N7002K
BSS123
BSS138
LBSS138LT1G
LM23T100V2
LCE3404
LCE3416
LCE6003Y
LM23T20V06
LM2302
LMS2302AL
LM2306A
LM3400
LCE1502R
LCE60P04Y
LE3018
NTJD4401N
LCEP0178A
LCE65T1K2F
LCE65T900F
LCE65T180F
LCE0208KA
LCE3030K
LCE3050K
LCE6050KA
LCE7560K
LCEP01T13D
LCE8205A
LCE1205
LCE1216
LCE20P45Q
LCE3035Q
LCEP40T11G
LCE30P12S
LE405E
LCE30P15S
LCE0110AS
LCE4009S
LCE4435
LCE4801
LCE4953
LCE6008AS
LCE9926
SE1505S
LCE2305
LCE3415
SE3401AY
BSS84
BSS123
LCE2301
LCE2302
LCE2303
LCE2304
LCE2305A
LCE2333Y
LCE3407
LCE6003
LM2309
LM3407
LMS2301AL
SE2312
SE3401
LP25P20T5
LP25P21T5
LP25051T5
LP25151T5
LM6T20V3
LCE0106R
LMSS84W
2SK3019
LSI1013XT1G
PPT002P02
LCE1520
LCE6990
LCE01P30
LCEP01T11
LCEP60T12A
LCE0205IA
LCE01P13K
LCE01P18K
LCE01P30K
LCE15P25JK
LCE55P15K
LCE60P50K
LCE0140K
LCE0140KA
LCE6020AK
LCE4606
LCE2003
