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  • 化学机械抛光液配方分析及配方组成检测--禾川化工

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  • 对应法规:化学机械抛光液
    CNAS认可项目:是
  • 本公司供应化学机械抛光液配方成分组成分析,品牌苏州禾川研发中心。参数为:PH:氢氧化钠 0~2% PH调节剂。质量保证,欢迎咨询洽谈。 20世纪60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。随着电子产品表面质量要求的不断提高, 表面平坦化加工技术也在不断发展,基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG( spin-on-glass) 、低压CVD( chemical vapor deposit) 、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC艺中获得应用, 但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等, 不能满足特征尺寸在0. 35 μm 以下的全局平面化要求。 抛光液是CMP 的关键要素之一, 抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量. 抛光液一般由超细固体粒子研磨剂( 如纳米SiO2、Al2O3 粒子等) 、表面活性剂、稳定剂、氧化剂、螯合剂、去离子水混合后组成, 固体粒子提供研磨作用, 化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。 采用透射电镜或扫面电镜对经不同抛光液处理的硅片样品进行观测, 以确定研磨液的粒形、粒貌和粒径大小对研磨性能的影响。用DLS 光散射仪表征多配抛光液的粒径。 化学机械抛光液配方:(仅供参考) 成分 含量 成分说明 二氧化硅胶乳 30~50% 磨料,粒径为110nm 氢氧化钠 0~2% PH调节剂 脂肪醇聚氧乙烯醚 0.01~0.6% 表面活性剂 增稠剂 0~0.3% 去离子水 余量 以上是化学机械抛光液配方成分分析以及配方检测的详细信息,由苏州禾川化工材料有限公司自行提供,如果您对化学机械抛光液配方成分分析以及配方检测的信息有什么疑问,请与我公司进行进一步联系,获取化学机械抛光液配方成分分析以及配方检测的更多信息。 公司:苏州禾川化工新材料科技有限公司 联系人:胡工 电话:0512-82190669 手机:18068018096 邮箱:hechuanjishu@hechuanchem.com 网址:http://www.hechuanchem.com 地址:江苏省苏州市工业园区星湖街218号

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