技术指标:SiH4流量0-50sccm,N20流量0-2000sccm,NH3流量0-500sccm,温度范围80-350度,RF功率范围0-300W
仪器用途:主要用于SiO2、SiNx、a-Si等介质膜的生长,一次可放置两寸片5片,四寸片和六寸片1片,薄膜不均匀性≤±3%。 预约友情提示:低温工艺,请预约每天早上的第一炉工艺;掺杂(包括PH3、GeH4、B2H6、H2)、a-Si每天下午15:00以后可以预约。此类工艺请至少提前一天预约,以便设备做好相应准备。
收费标准:400/30分钟
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn