技术指标:利用高能量激光在样品表面烧灼出一定深度的沟道,实现样品表面的切割,即解理管芯的目的.
仪器用途:主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜,AlN、SiO2等介质薄膜,一次可溅射两寸片5片,四寸片和六寸片1片,向下尺寸兼容,薄膜不均匀性≤±5%。为不影响他人工艺,以及有充足的时间对设备进行维护,氧化物溅射工艺只安排在周五、周六进行。每日18:00-19:00时为加班人员短暂休息和用餐时间,涉及到贵重金属的使用,工艺时需有工作人员在场,非工艺特别赶的情况,请尽量避开预约此段时间。 1.5小时起预约。
收费标准:According to 350μm×350μm chips,2inch wafer Capacity: 5 wafers/hour Scribed time/wafer: ≤11min Aligned time/wafer: ≤60 s Scribed Depth: 20μm±10% Scribe
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn