技术指标:温度:25度,侧壁垂直度:85度。关键尺寸偏差<0.1um,工艺气体:He,SF6,CHF3,O2,功率:0-600W
仪器用途:适用于150mm及以下单片晶片上SiO2/SiNx的刻蚀。刻蚀均匀性<±5%
收费标准:250/30分钟
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
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