中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

技术指标：温度控制显示精度全量程0.1°C；三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶，在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺；程序控制单元，气体/压力控制精度±0.5%；样品尺寸及片数，一次最多可以装载50片6英寸、50片四英寸基片或50片两英寸基片； 5上炉管氧化合成最高温度1150度，可以进行干氧氧化和氢氧合成湿氧氧化，通氮气作为 保护气体。下炉管退火温度最高可达600度，可以通氮气作为保护气体。氧化工艺必须提前一天预约。

仪器用途：氧化炉由氧化炉管和退火炉管两个炉管组成，上炉管是氧化炉管，主要用于干氧氧化和湿氧氧化（氢氧合成），配置氧气、氮气和氢气三路气体，下炉管是退火炉管，主要用于金属合金化，最高温度可达600度，配置氮气和氢气两路气体。热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。

收费标准：通工艺气体时收费为600元/小时，升降温时间为300元/小时。

机组负责人：张嫔  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn